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Organic semiconductor distributed feedback laser fabricated by direct laser interference ablation

  • We use a pulsed, frequency tripled picosecond Nd:YAG laser for holographic ablation to pattern a surface relief grating into an organic semiconductor guest-host system. The resulting second order distributed feedback lasers exhibit laser action with laser thresholds being comparable to those obtained with resonators structured by standard lithographic techniques. The details of the interference ablation of tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq(3)) doped with the laser dye 4- dicyanomethylene-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran (DCM) are presented and discussed. Lasing action is demonstrated at a wavelength of 646.6 nm, exploiting second order Bragg reflection in a relief grating with a period of 399 nm.

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Verfasserangaben:Marc Stroisch, Thomas Woggon, Uli Lemmer, Georg Bastian, Georg Violakis, Stavros Pissadakis
URN:urn:nbn:de:hbz:tr5-1460
DOI:https://doi.org/10.1364/oe.15.003968
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Optical Express
Verlag:OSA
Dokumentart:Wissenschaftlicher Artikel (Fachzeitschriften)
Sprache:Englisch
Datum des OPUS-Uploads:22.09.2022
Datum der Erstveröffentlichung:02.04.2007
Veröffentlichende Hochschule:Hochschule Trier
Datum der Freischaltung:22.09.2022
Freies Schlagwort / Tag:distributed-feedback; laser materials processing; lasers; organic materials; semiconductor lasers; visible lasers; volume holographic gratings
GND-Schlagwort:Laser; Halbleiterlaser; Organischer Stoff
Jahrgang:15
Ausgabe / Heft:7
Aufsatznummer:PMID: 19532640
Seitenzahl:6
Erste Seite:3968
Letzte Seite:3973
Einrichtungen:FB Technik
DDC-Klassifikation:6 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / 60 Technik
Lizenz (Deutsch):License LogoCreative Commons - CC BY - Namensnennung 4.0 International